講演情報
[15a-PB2-1]4H-SiCにおける積層欠陥拡張抑制のためのイオン注入最適化
〇リ トウ1、坂根 仁2、原田 俊太3、加藤 正史1 (1.名工大、2.住重アテックス、3.名大)
キーワード：
SiC、積層欠陥、イオン注入
SiCパワーデバイスにおけるバイポーラ劣化は、順方向通電時に基底面転位を起点として拡張するシングルショックレー積層欠陥に起因する重要な課題である。先行研究では、H⁺およびHe⁺イオン注入によるSF拡張抑制法（SF-KHII®法）が提案されているが、最適なイオン種および注入深さは十分に整理されていない。本研究では、異なるエピ層厚さを有する4H-SiC試料に対し、H⁺およびHe⁺を種々の深さに注入し、SF拡張抑制効果を比較評価した。