セッション詳細

[15a-PB2-1~16]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2026年3月15日(日) 9:30 〜 11:00
PB2 (武道場 (B1F))

[15a-PB2-1]4H-SiCにおける積層欠陥拡張抑制のためのイオン注入最適化

〇リ トウ1、坂根 仁2、原田 俊太3、加藤 正史1 (1.名工大、2.住重アテックス、3.名大)

[15a-PB2-2]SiC半導体界面制御のための原子層ドーピングプロセスに関する研究

〇上野 哲弥1,2、櫻庭 政夫1,2、佐藤 茂雄1,2、佐藤 盛磨1,2 (1.東北大院工、2.東北大通研)

[15a-PB2-3]4H-SiC/SiO2界面におけるバンド配列の理論解析
: NOアニールと界面欠陥の影響の検討

〇伊勢 直斗1、秋山 亨1、畠山 哲夫2、白石 賢二3、中山 隆史4 (1.三重大院工、2.富山県立大工、3.東北大CIES、4.千葉大理)

[15a-PB2-5]Mechanism of fast neutron radiation effects on silicon carbide power MOSFETs and structural reinforcement design

〇(M2)Teng Gong2,1, Chenghao Yu2, Wensheng Zhao2, Masayuki Yamamoto1, Haomin Guo2, Xingda Chen1,2 (1.University of Yamanashi, 2.Hangzhou Dianzi University)

[15a-PB2-6]ダイヤモンドMOSFETにおける2次元状態密度モデルを使った界面準位密度のエネルギー分布の評価

〇佐藤 解1、松本 翼1、小林 和樹1、市川 公善1、林 寛1、小倉 正彦2、牧野 俊晴2、加藤 宙光2、竹内 大輔2、長井 雅嗣2、猪熊 孝夫1、山崎 聡1、徳田 規夫1 (1.金沢大学、2.産総研)

[15a-PB2-7]MOS界面とオーム性接触に対する同時低温熱処理を適用した反転型GaN MOSFETの試作

〇赤羽 陽斗1、唐沢 陽向1、高橋 尚伸1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)

[15a-PB2-8]基底状態原子支援化学気相堆積法によるSiO2/n-Siおよび
SiO2/n-GaN MOS構造の熱処理ガス雰囲気の効果

〇吉川 隆太1、岡田 浩1、古川 雅一2、若原 昭浩1、山本 英明1、江田 光来1 (1.豊橋技術科学大学、2.アリエースリサーチ有限会社)

[15a-PB2-9]反転チャネルGaN-MOSFETの伝達特性の基板バイアス依存性評価

〇伊藤 健治1、成田 哲生2、井口 紘子2、岩崎 四郎2、菊田 大悟2 (1.名大IMaSS、2.豊田中研)

[15a-PB2-10]逆バイアスアニール法によるGaNのプラズマ照射誘起欠陥の挙動評価(4)

〇藤綱 真斗1、中村 成志1 (1.東京都立大学)

[15a-PB2-11]Simulation Study on Damage Mechanism of GaN HEMT under High Power Microwave Stress

〇(M2)Chen Xingda1,2, Yu Chenghao2, Masayuki Yamamoto1, Guo Haomin2, Gong Teng1,2 (1.University of Yamanashi, 2.Hangzhou Dianzi University)

[15a-PB2-12]カスコード接続GaN-HEMTにおける内部ゲートインダクタンスの影響

〇井手 利英1、鍛冶 良作1、古屋 克己1 (1.産総研)

[15a-PB2-13]CsフリーInGaNエミッタの光支援熱電子放出特性

〇(M1)鈴木 開晴1、木村 重哉2、宮崎 久生2、荻野 明久1 (1.静大院工、2.(株) 東芝 総合研究所)

[15a-PB2-14]量子補正モンテカルロシミュレーションによるダブルドープ構造InAsSb HEMTにおけるチャネル膜厚の特性への影響

児玉 直也1、廣原 千夏1、梅川 朋也1、〇遠藤 聡1、藤代 博記1 (1.東理大先進工)

[15a-PB2-15]Quantitative Evaluation of the Impact of Silicon Wafer Defect Levels on 3.3 kV Si-IGBT Characteristics

〇Bozhou Cai1, Keiji Tagami1, Wataru Saito2, Shin-ichi Nishizawa2 (1.Kyushu Univ. IGSES, 2.Kyushu Univ. RIAM)

[15a-PB2-16]SnO2薄膜の還元アニールにおけるキャッピング層の効果

〇(B)川崎 汐音1、辛 佳和1、相川 慎也1 (1.工学院大工)