講演情報
[15a-PB3-1]深さ方向を考慮した転位の X 線トポグラフィー像の光線追跡シミュレーション
〇西沢 武留1、姚 永昭1、大西 一生1 (1.三重大)
キーワード：
半導体、ray-tracing
SiC結晶の欠陥評価に向け、深さ方向の歪み場積算とX線吸収を考慮した光線追跡シミュレーターを開発した。従来の2次元解析では再現困難だった、オフ角に起因する転位の傾斜や深さ依存性を解析可能とした。本手法を4H-SiCの貫通刃状転位に適用し、実験で観測される特徴的な尾引き像の再現に成功。その形成機構が深さ方向の歪み積算効果であることを明らかにした。