[15a-S4_202-1~8] 9.3 ナノエレクトロニクス

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[15a-S4_202-3] Si MOSFET埋込ナノ構造の非破壊評価に適した機械学習法の検討

〇(D)呂 任翔¹、山口 彪斗¹、谷田部 然治¹、葛西 誠也¹ (1.北大　量集センター)

キーワード：

半導体、機械学習、ナノ構造

ランダムナノ構造を識別子とするナノ人工物メトリクスの実用化のためSi MOSFETを用いた電気的構造識別法を提案しているが、実証実験においてシミュレーションと試作素子では特性が大きく異なっていた。本結果を理解するため、機械学習を用い電気的特性から埋込み構造を非破壊評価する手法を検討している。今回、高精度推論のため、ニューラルネット構造や入電気的特性データの違いが推論精度に与える影響を調べた。