セッション詳細
[15a-S4_202-1~8]9.3 ナノエレクトロニクス
2026年3月15日(日) 9:00 〜 11:30
S4_202 (南4号館)
座長:山端 元音(NTT)
[15a-S4_202-2]Si(111)表面上Agナノワイヤ形成に向けた第一原理計算とAFM観察による吸着機構解明
〇(M1)京田 晴菜1、Fitriana Syafira As Zahrah1、有馬 健太1、稲垣 耕司1 (1.阪大院工)
[15a-S4_202-4]有機-無機ハイブリッドナノ粒子の光学・電気化学的特性を利用した細菌検出
〇武長 功樹1、津田 新太郎1、板垣 賢広1、山本 陽二郎1、椎木 弘1 (1.阪公大工)
[15a-S4_202-5]Thickness-Dependent Band Structure of In2O3 and Ga-Doped In2O3 Nanosheets: A First-Principles Study
〇(P)Chitra Pandy1, Masaharu Kobayashi1 (1.Institute of Industrial Science, The University of Tokyo)
