セッション詳細

[15a-S4_202-1~8]9.3 ナノエレクトロニクス

2026年3月15日(日) 9:00 〜 11:30
S4_202 (南4号館)

[15a-S4_202-2]Si(111)表面上Agナノワイヤ形成に向けた第一原理計算とAFM観察による吸着機構解明

〇(M1)京田 晴菜1、Fitriana Syafira As Zahrah1、有馬 健太1、稲垣 耕司1 (1.阪大院工)

[15a-S4_202-3]Si MOSFET埋込ナノ構造の非破壊評価に適した機械学習法の検討

〇(D)呂 任翔1、山口 彪斗1、谷田部 然治1、葛西 誠也1 (1.北大 量集センター)

[15a-S4_202-4]有機-無機ハイブリッドナノ粒子の光学・電気化学的特性を利用した細菌検出

〇武長 功樹1、津田 新太郎1、板垣 賢広1、山本 陽二郎1、椎木 弘1 (1.阪公大工)

[15a-S4_202-5]Thickness-Dependent Band Structure of In2O3 and Ga-Doped In2O3 Nanosheets: A First-Principles Study

〇(P)Chitra Pandy1, Masaharu Kobayashi1 (1.Institute of Industrial Science, The University of Tokyo)

[15a-S4_202-6]巡回セールスマン問題を解く単電子粘菌回路の収束条件と性能向上検討

〇(M1)竹本 椋1、大矢 剛嗣1,2 (1.横国大院理工、2.横国大 IMS)

[15a-S4_202-7]単電子反応拡散回路における平行波合成時の伝搬方向制御の検討

〇上野 樹1、大矢 剛嗣1,2 (1.横国大理工、2.横国大 IMS)

[15a-S4_202-8]雑音を利用する単電子ボルツマンマシンの設計

〇小室 実穂1、大矢 剛嗣1,2 (1.横国大理工、2.横国大 IMS)