講演情報
[15a-W2_402-3]放射光X線回折によるバルクSiGeの原子配列に関する考察
〇横川 凌1,2,3、伊藤 佑太4,5、荒井 康智6、米永 一郎7、萬條 太駿8、筒井 智嗣8、中村 唯我8、別宮 響9、野田 祐輔10、末岡 浩治11、小椋 厚志4,3 (1.広大RISE、2.広大院先進理工、3.明大MREL、4.明大理工、5.学振DC、6.JAXA、7.東北大、8.JASRI、9.岡山県大院情報系工、10.九工大院情報工、11.岡山県大情報工)
キーワード：
SiGe、XRD、逆格子マップ
SiGeは次世代熱電発電、電子デバイスへの応用に期待されており、SiGeの原子配列は微視的な熱特性と電子バンド構造を規定するため、原子配置の厳密な把握が重要となる。本研究では放射光X線回折を用い、バルクSiGeの3次元広域逆格子マップ中の散漫散乱分布から原子配列を直接的に解析した。結果、バルクSiGeの原子配列は完全にランダムで配置されず、広範囲で同種原子と結合しやすい傾向を得たので報告する。