[15a-W2_402-1~7] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

10:45 〜 11:00

[15a-W2_402-4] COガスを用いたSi表面炭化におけるSiC薄膜形成メカニズム

〇服部 翔¹、安達 正芳²、福山 博之²、出浦 桃子¹ (1.早大理工、2.東北大多元研)

キーワード：

SiC、表面炭化