[15a-W8E_101-1~8] 13.3 絶縁膜技術

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[15a-W8E_101-4] Ge GAA nFETsに向けたALD-HKMG Ge(111)MOS構造の検討

〇川名 慶征^1,2、福原 昇¹、張 文馨¹、陳 家驄¹、堤 利幸^1,2、前田 辰郎¹ (1.産総研、2.明大理工)

キーワード：

ALD-HKMG、Ge(111)、GAA

高移動度GeチャネルGAA nFET実現に向けたGe(111)基板上でのALD-Al₂O₃/TiN HKMGプロセスと面方位依存界面制御を検討した。Ge(111)とGe(100)上で、低温ALDでAl₂O₃、スパッタTiNからなるHKMGを形成。PMAの温度、雰囲気を変化させ、界面反応・界面準位密度を解析し、電気特性を評価した。