2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
詳細検索

セッション詳細

一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.3 絶縁膜技術

[15a-W8E_101-1~8]13.3 絶縁膜技術

2026年3月15日(日) 9:00 〜 11:00
W8E_101 (西8号館)
9:00 〜 9:15

[15a-W8E_101-1]EB蒸着法により形成したTi/Ge構造への酸化処理温度の影響

砂畑 一應1、中尾 海斗1、宮入 健1、佐藤 哲也2、〇王谷 洋平1 (1.公立諏訪東理大、2.山梨大)
9:15 〜 9:30

[15a-W8E_101-2]RFスパッタ堆積したHfO2/Ge構造の電気特性に堆積温度が及ぼす影響

山田 大地1、佐藤 哲也2、〇王谷 洋平1 (1.公立諏訪東理大、2.山梨大)
9:30 〜 9:45

[15a-W8E_101-3]二段階堆積と極薄GeO2/Ge界面の特性評価

〇井上 拓紀1、鈴木 拓光1、岩崎 好孝1、上野 智雄1、並木 美太郎1 (1.農工大院工)
9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[15a-W8E_101-4]Ge GAA nFETsに向けたALD-HKMG Ge(111)MOS構造の検討

〇川名 慶征1,2、福原 昇1、張 文馨1、陳 家驄1、堤 利幸1,2、前田 辰郎1 (1.産総研、2.明大理工)
10:00 〜 10:15

[15a-W8E_101-5]高誘電率MOSゲートスタックのためのHfO2/ZrO2/HfO2薄膜の結晶化

〇神岡 武文1,2、川那子 高暢1,2、森田 行則1,2、岡田 直也1,2、間部 謙三1,2、水林 亘1,2、太田 裕之1,2、松川 貴1,2、右田 真司1,2 (1.産総研 SFRC、2.LSTC)
10:15 〜 10:30

[15a-W8E_101-6]極薄CET（< 1 nm）High-kゲートスタックのための酸素パッシベーション界面層（O-PAS IL）の形成

〇森田 行則1,6、川那子 高暢1,6、神岡 武文1,6、三谷 祐一郎2,6、生田目 俊秀3,6、女屋 崇3,6、深田 直樹3,6、ジェバスワン ウイパコーン3,6、塚越 一仁3,6、星井 拓也4,6、トープラサートポン カシディット5,6、田村 敦史5,6、喜多 浩之5,6、岡田 直也1,6、間部 謙三1,6、水林 亘1,6、太田 裕之1,6、松川 貴1,6、右田 真司1,6 (1.産総研、2.東京都市大、3.物材機構、4.東京科学大、5.東大、6.LSTC)
10:30 〜 10:45

[15a-W8E_101-7]CETスケーリングに向けた直接High-k/Si構造の界面特性と電気特性

〇川那子 高暢1,2、神岡 武文1,2、森田 行則1,2、岡田 直也1,2、間部 謙三1,2、水林 亘1,2、太田 裕之1,2、松川 貴1,2、右田 真司1,2 (1.産総研、SFRC、2.LSTC)
10:45 〜 11:00

[15a-W8E_101-8]PDAによるALD-La2O3及びALD-Al2O3ダイポール効果の変化

〇生田目 俊秀1,2、澤田 朋実1,2、三浦 博美1,2、宮本 真奈美1,2、女屋 崇1,2、塚越 一仁1,2、深田 直樹1,2、ジェバスワン ウイパコーン1,2、右田 真司2,3 (1.物質・材料研究機構、2.最先端半導体技術センター、3.産総研)
カテゴリ一覧へ戻る