[15a-WL2_101-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[15a-WL2_101-2] KrFエキシマレーザーアニールによるITO薄膜結晶化の基板依存性

〇植月 信之介¹、片山 慶太^1,2、劉 一帆¹、佐藤 舞起¹、薮田 久人^1,2 (1.九大シス情、2.九大ギガフォトンNextGLP)

キーワード：

レーザーアニール、ITO、KrFエキシマレーザー

KrFエキシマレーザーを用いたITO薄膜のレーザーアニールにおいて、基板材料の違いが結晶化に与える影響を検討した。熱伝導率の異なる無アルカリガラス基板およびAl₂O₃基板上に成膜したITO薄膜に対しレーザー照射を行った結果、ガラス基板では低いフルエンス条件でシート抵抗の低下が確認された。一方、Al₂O₃基板ではより高いフルエンスが必要であった。これは基板の熱伝導特性によりレーザー照射時の熱履歴が異なるためであると考えられる。