講演情報
[15p-M_124-6]オフアクシス選択堆積による単層MoS2上HfO2堆積手法の確立
〇前川 紘億1、西村 知紀1、金橋 魁利1、佐久間 芳樹2、長汐 晃輔1 (1.東大院工、2.NIMS)
キーワード：
MoS2、HfO2、ゲートスタック
MoS2の次世代ロジック応用に向け，EOT低減のため高誘電率HfO2をレジストフリーMoS2へ直接形成する安定した界面を形成可能な条件を検討した．
MoS2に対して酸素雰囲気でEB蒸着を行い，試料は蒸着中心から外した位置に配置した．この場合，酸素分子との衝突・散乱後のHfO2のみが堆積して未酸化Hfの到達を抑え，Raman/PLの劣化を抑制したバッファー層(~1.1 nm)を形成できた．さらにALDで~3 nm積層し，被覆率が非常に高いことを確認した．
以上より，高品質HfO2/MoS2界面（界面準位密度評価）に向けた堆積手法を確立した。
MoS2に対して酸素雰囲気でEB蒸着を行い，試料は蒸着中心から外した位置に配置した．この場合，酸素分子との衝突・散乱後のHfO2のみが堆積して未酸化Hfの到達を抑え，Raman/PLの劣化を抑制したバッファー層(~1.1 nm)を形成できた．さらにALDで~3 nm積層し，被覆率が非常に高いことを確認した．
以上より，高品質HfO2/MoS2界面（界面準位密度評価）に向けた堆積手法を確立した。