セッション詳細

[15p-M_124-1~16]17.3 層状物質

2026年3月15日(日) 14:00 〜 18:15
M_124 (本館)

[15p-M_124-1]WSe2へのNbポストドープによるMirror Twin Boundary 形成

〇(M2)田中 一樹1、西村 知紀1、金橋 魁利1、中嶋 まい2、掛谷 尚史2、麻生 浩平2、大島 義文2、Jui-Han Fu3、Vincent Tung3、長汐 晃輔1 (1.東大マテ工、2.JAIST、3.東大化シス)

[15p-M_124-2]Re置換ドープMoSe2によるSS < 60 mV/decのP-TFET動作実証

〇杉山 紀成1、森戸 智2、若林 采佳2、西村 知紀1、金橋 魁利1、谷口 尚3、渡邊 賢司3、上野 啓司2、長汐 晃輔1 (1.東大マテ工、2.埼玉大、3.NIMS)

[15p-M_124-3]PVD-WS2膜の窒素中水素混合ガスプラズマによるp型化窒素ドーピング

〇寺岡 楓1、伊東 壮真1、Jang Jaehyo1、松永 尚樹1、野澤 俊輔1、布施 太翔1、星井 拓也1、角嶋 邦之1、若林 整2 (1.東京科学大、2.東京科学大学総合研究院)

[15p-M_124-4]元素置換ドープTMDCを用いた面内トンネルFETにおけるボルツマン限界以下サブスレッショルドスイングの実証

〇金橋 魁利1、西村 知紀1、上野 啓司2、長汐 晃輔1 (1.東大マテ工、2.埼玉大院理工)

[15p-M_124-5]ALDによるWSe2へのHigh-κ絶縁膜直接成長: UV-O3処理による界面制御

〇榎本 璃玖1、松田 健生1、柯 梦南2、クリューガー ピーター1、青木 伸之1 (1.千葉大融合理工、2.横浜国大)

[15p-M_124-6]オフアクシス選択堆積による単層MoS2上HfO2堆積手法の確立

〇前川 紘億1、西村 知紀1、金橋 魁利1、佐久間 芳樹2、長汐 晃輔1 (1.東大院工、2.NIMS)

[15p-M_124-7]極薄ゲート金属層利用に向けたグラフェンの特性評価

〇野口 裕士1、松田 健生1、柯 梦南2、熊谷 翔平3、岡本 敏宏3、青木 伸之1 (1.千葉大院、2.横国大院、3.科学大院)

[15p-M_124-8]単層WSe2電流励起発光素子への高密度電流注入

〇大井 浩司1、欧 昊2、蒲 江2、遠藤 尚彦3、宮田 耕充3、竹延 大志1 (1.名大工、2.東科大、3.NIMS (MANA))

[15p-M_124-9]単層MoS2チャネルn型トランジスタ向けNixNbyS2コンタクト形成のための初期Nb/Ni膜厚制御

〇堀 幸妃1,2、張 文馨1、入沢 寿史1、小椋 厚志2,3、岡田 直也1 (1.産総研 SFRC、2.明治大理工、3.明大MREL)

[15p-M_124-10]単層MoS2トランジスタにおけるNi0.19Nb1.16S2エッジコンタクトの検討

〇堀 幸妃1,2、張 文馨1、入沢 寿史1、小椋 厚志2,3、岡田 直也1 (1.産総研 SFRC、2.明治大理工、3.明大MREL)

[15p-M_124-11]ヤヌスWSH-半金属コンタクトを用いた単層WS2電界効果トランジスタの作製と評価

〇(M1)堀 翔馬1、林 靖彦1、鈴木 弘朗1 (1.岡大院環境生命自然)

[15p-M_124-12]電極蒸着で生じた歪みによるWSe2 FETの電気特性の変化

〇中島 隆一1、西村 知紀1、金橋 魁利1、上野 啓司2、遠藤 尚彦3、宮田 耕充3、長汐 晃輔1 (1.東京大、2.埼玉大、3.NIMS)

[15p-M_124-13]All 2Dで構成されたアンチ・アンバイポーラトランジスタの電気伝導特性評価

〇宇澤 拳太郎1,2、早川 竜馬2、岩﨑 拓哉2、渡邊 賢司2、谷口 尚2、若山 裕1,2、森山 悟士1,2 (1.東京電機大学、2.NIMS)

[15p-M_124-14]定在波表面弾性波による単層WSe2の励起子発光変調

〇(M2)高橋 悠太1、山本 拓海1、神澤 英寿1、前澤 和来1、熊崎 基1、渡邉 紳一1、藤井 瞬1 (1.慶大理工)

[15p-M_124-15]表面弾性波を用いた単層遷移金属ダイカルコゲナイドにおける第二高調波発生の高速動的変調

〇神澤 英寿1、山本 拓海1、髙𣘺 悠太1、熊崎 基1、蒲 江2、渡邉 紳一1、藤井 瞬1 (1.慶大理工、2.科学大)

[15p-M_124-16]二次元反強磁性物質における外部電界制御によるバルク光起電力効果

〇朝田 秀一1、俣野 眞一朗1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、松田 一成1 (1.京大エネ研、2.物質・材料研究機構)