[15p-PA2-1~13] 3.12 半導体光デバイス

[15p-PA2-1] InP/Si親水性接合界面におけるボイドのアニーリング時間依存性評価

〇(M1)ZHANG RUIQI¹、BAN CHAOKE¹、ZHAO LIANG¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：

半導体レーザ、シリコンフォトニクス、親水性貼り付け

大規模集積回路の高速・大容量通信を低消費電力で実現するため、Si基板上へのInP系光デバイスの異種材料集積が注目されている。SiはCMOS互換性とコスト面に優れる一方で、間接遷移型であるため発光素子には不向きであるのに対し、直接遷移型のInP系材料との接合は高効率光源の実現に有望である。本研究では、親水性直接貼付法により作製したInP/Si基板において、貼り付け時に形成されたボイドに着目し、アニール処理時間とボイド特性の関係を検討したので報告する。