セッション詳細

[15p-PA2-1~13]3.12 半導体光デバイス

2026年3月15日(日) 14:30 〜 16:00
PA2 (アリーナ (1F))

[15p-PA2-1]InP/Si親水性接合界面におけるボイドのアニーリング時間依存性評価

〇(M1)ZHANG RUIQI1、BAN CHAOKE1、ZHAO LIANG1、下村 和彦1 (1.上智大理工)

[15p-PA2-2]InP/Si 基板上歪量子井戸構造の光学特性評価

〇ホルト 瑞樹1、下村 和彦1 (1.上智大理)

[15p-PA2-3]直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsP MQWハイメサレーザの温度依存性

〇(M1)JIA QIGUANG1、HUANG ZHEHAO1、LE RONG1、ホルト 瑞樹1、富永 幸輝1、BAN CHAOKE1、ZHANG RUIQI1、趙 亮1、下村 和彦1 (1.上智大理工)

[15p-PA2-4]銀ナノ粒子ボンディングによるInP系半導体レーザの放熱改善

〇(B)PENG HAO1、ホルト 瑞樹1、富永 幸輝1、下村 和彦1 (1.上智大理工)

[15p-PA2-5]マルチモード発振する電界吸収型変調器集積レーザの開発

〇榎 健太郎1、木原 康輝1、外間 洋平1、大野 彰仁1 (1.三菱電機株式会社)

[15p-PA2-6]Franz-Keldysh効果の評価に向けたSi基板上SiGe pin受光器の作製

〇(M1)矢野 大輝1、小椋 亮弥1、Piedra-Lorenzana Jose A1、赤井 大輔1、飛沢 健1、石川 靖彦1 (1.豊橋技科大)

[15p-PA2-8]粒子加速器用kV級SiC光伝導スイッチの高速連続オンオフ動作評価

〇川崎 泰介1、安田 浩昌1、吉田 光宏2,4、ヤヒア ヴァンサン3,4、平等 拓範4,3、木村 重哉5、太田 千春5、宮崎 久生5 (1.東芝エネルギーシステムズ、2.高エネ研、3.分子研、4.理研、5.東芝)

[15p-PA2-9]パノラマ映像取得用の半円筒形状曲面センサの作製

〇今村 弘毅1、小林 弘輝1、後藤 正英1、佐藤 弘人1 (1.NHK技研)

[15p-PA2-10]Si上Ge単一光子アバランシェダイオードの検討

〇(M1)濱田 直希1、小椋 亮弥1、Piedra-Lorenzana Jose A.1、飛沢 健1、Tan Chee Hing2、石川 靖彦1 (1.豊橋技科大、2.シェフィールド大)

[15p-PA2-11]湾曲イメージセンサのCTF解析による像面湾曲収差補正効果の実証

〇森下 大暉1、後藤 正英2、為村 成亨2、浜本 隆之1、佐藤 弘人2 (1.東京理科大、2.NHK技研)

[15p-PA2-12]有限要素法によるInAs/GaAs(111)Aヘテロ界面構造の光電流特性シミュレーション

〇川津 琢也1、石田 暢之1、間野 高明1 (1.物材機構)

[15p-PA2-13]半導体ナノ粒子の紫外光検出器応用に向けた波長変換層/光伝搬層構造の評価

〇谷崎 陽友冴1、井筒 由紀1、金 大貴1、重川 直輝1 (1.大阪公大工)