[15p-PA2-1~13] 3.12 半導体光デバイス

[15p-PA2-10] Si上Ge単一光子アバランシェダイオードの検討

〇(M1)濱田 直希¹、小椋 亮弥¹、Piedra-Lorenzana Jose A.¹、飛沢 健¹、Tan Chee Hing²、石川 靖彦¹ (1.豊橋技科大、2.シェフィールド大)

キーワード：

半導体、シリコンフォトニクス、単一光子アバランシェダイオード

Si上Ge 単一光子アバランシェダイオード（SPAD）はSi-CMOS技術を利用して作製でき、通信やセンシングへの応用が検討されている。動作時にはキャリア増倍層へ高電界が印加されるが、デバイス端部への電界集中による局所的アバランシェ降伏がデバイス破壊を引き起こす。本研究ではSi 上 Ge SPADに対しドーピングによる素子分離を適用し電流－電圧特性を評価した。測定の結果、良好な整流性が確認された。