[15p-S4_203-1~16] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

17:15 〜 17:30

[15p-S4_203-13] 光学干渉非接触温度測定法(OICT)を用いたシリコンウェハ表面温度のリアルタイム多点測定

〇小野 遥夢¹、YU JIAWEN¹、花房 宏明¹、東 清一郎¹ (1.広大院先進理工)

キーワード：

半導体、温度測定

半導体製造工程において、ウェハ面内の温度分布をリアルタイムで測定することは重要な課題である。我々は、ウェハにレーザー光を照射し、温度変化に伴う反射光の干渉を利用する光学干渉非接触温度測定法 (OICT) を開発し、リアルタイム測定に適用してきた。本研究では、小型センサーヘッドを適用した多点OICT測定光学系を構築し、多点OICTによるシリコンウェハの表面温度測定を実証した。