セッション詳細

[15p-S4_203-1~16]13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2026年3月15日(日) 14:00 〜 18:15
S4_203 (南4号館)

[15p-S4_203-2]S値63.9±0.39mV/decを有するFDSOI-pMOSFETの作製と評価

〇(B)今山 輝一1、野須 涼太1、葉 文昌1 (1.島根大)

[15p-S4_203-3]S値60.5±0.1mV/decとオンオフ比11桁以上のFDSOI-nMOSFET

〇葉 文昌1、野須 涼太1 (1.島根大総合理工)

[15p-S4_203-4](001)μCLS-Si 単結晶帯に形成した高性能 SOQ MOSFET

〇(M2)野須 涼太1、葉 文昌1 (1.島根大)

[15p-S4_203-5]ゲート金属によるFDSOI-MOSFETのしきい値制御

〇葉 文昌1、野須 涼太1 (1.島根大総合理工)

[15p-S4_203-6]イオン注入されたSi基板のマイクロ波加熱とレーザ加熱の比較

〇藤井 知1、吉田 英恵1、佐藤 和重2,4、上殿 明良3 (1.沖縄高専、2.坂口電熱、3.筑波大、4.Minimal fab推進機構)

[15p-S4_203-7]イオン注入法とKrFエキシマレーザーアニールを用いたSiへのBドーピング

〇(M1)楢崎 拓海1、片山 慶太1,2、劉 一帆1、薮田 久人1,2 (1.九大シス情、2.九大ギガフォトンNextGLP)

[15p-S4_203-8]FLAを用いたInZnOxチャネル薄膜トランジスタの高移動度化

〇植野 雄守1、Peng Li-Chi2、Chou Tsung-Te3、Chang Edward Yi2、Lin Chun-Hsiung2、井ノ上 健二1、満田 勝弘1、加藤 慎一1 (1.SCREEN SPE、2.國立陽明交通大學、3.國家儀器科技研究中心)

[15p-S4_203-9]基板非加熱ECRプラズマCVDを用いたpn接合トンネルダイオード製作と電気特性

〇佐藤 盛磨1,2、上野 哲弥1,2、櫻庭 政夫1,2、佐藤 茂雄1,2 (1.東北大院工、2.東北大通研)

[15p-S4_203-10]トレンチ加工で生成する格子間Siおよび複合欠陥に対する基板不純物濃度の影響

〇冨田 昂暉1、伊藤 佑太1、藤森 涼太1、増田 大輝1、小椋 厚志1,2、石村 聡3、久保井 信行3、嵯峨 幸一郎3 (1.明治大理工、2.明大 MREL、3.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

[15p-S4_203-11]ウェハエッジ保護プロセスにおけるレジストの塗布幅均一性改善に向けた塗布メカニズムの解明

〇塩谷 勇人1、本多 孝好1、萩本 賢哉1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社)

[15p-S4_203-12]Si表面上のナノ構造が水沸騰挙動に与える影響

〇(B)尾上 潤1、小林 幹太朗1、榎木 陸人1、垣内 弘章1、大参 宏昌1 (1.阪大院工)

[15p-S4_203-13]光学干渉非接触温度測定法(OICT)を用いたシリコンウェハ表面温度のリアルタイム多点測定

〇小野 遥夢1、YU JIAWEN1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院先進理工)

[15p-S4_203-14]室温スパッタSiO2上での界面駆動型自己組織化による熱酸化級SiO2の超低温形成

〇酒池 耕平1、東 清一郎2 (1.広島商船高専、2.広大院 先進理工)

[15p-S4_203-15]Neガスでスパッタ成膜したポリイミド上InSb薄膜のRTA結晶化

〇比嘉 辰志1、清水 脩平1、野口 隆1、梶原 隆司2、佐道 泰造2、奥山 哲雄3、土屋 俊之3、谷口 慎一4、吉留 省吉4、岡田 竜弥1 (1.琉大工、2.九州大学、3.東洋紡株式会社、4.株式会社イーテック)

[15p-S4_203-16]半導体に接するmetalの仕事関数の変化とFermi-level pinning (II)

〇鳥海 明1、西村 知紀2 (1.自由業、2.東大工)