[15p-S4_203-1~16] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

14:30 〜 14:45

[15p-S4_203-3] S値60.5±0.1mV/decとオンオフ比11桁以上のFDSOI-nMOSFET

〇葉 文昌¹、野須 涼太¹ (1.島根大総合理工)

キーワード：

シリコン、トランジスタ、シリコンオンインシュレータ

クリーンルームがないからまともなトランジスタが作れない、と思ってませんか？
それは知恵と工夫と努力が足りないことがもっともな理由であることをお見せします。