[15p-S4_203-1~16] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

15:00 〜 15:15

[15p-S4_203-5] ゲート金属によるFDSOI-MOSFETのしきい値制御

〇葉 文昌¹、野須 涼太¹ (1.島根大総合理工)

キーワード：

シリコン、トランジスタ、シリコンオンインシュレータ