講演情報
[15p-SL_101-5]ウルツ鉱構造を有する異原子価三元系窒化物MgSiN2薄膜へのScまたはBドーピング
〇(DC)影山 壮太郎1、岡本 一輝1、平永 良臣2、舟窪 浩1 (1.東京科学大、2.東北大)
キーワード：
強誘電体、窒化物、ウルツ鉱構造
AlNやGaNを母材とするウルツ鉱構造窒化物強誘電体材料は、ペロブスカイト構造強誘電体材料と比較して薄膜化による特性劣化が小さく大きな残留分極を示し、強誘電体メモリへの応用が期待されている。我々は、カチオンの電荷中性を保ったまま異なる価数の金属元素を組み合わせた異原子価3元系窒化物であるMgSiN2に注目している。我々はこれまでに、反応性スパッタリング法のような非平衡プロセスによって、ウルツ鉱構造をもつMgSiN2薄膜を作製できることを報告した。さらに、 (Mg,Si)N-AlN完全固溶体薄膜の作製にも成功してきた。このような背景のもと、さらなる組成拡張および結晶構造制御の可能性を検討するため、MgSiN2へのScおよびBのドーピングが結晶構造、特にウルツ鉱構造の安定性に及ぼす影響について検討したので報告する。