2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)CS コードシェアセッション：【CS.4】6.1 強誘電体薄膜、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

[15p-SL_101-1~17]CS.4 6.1 強誘電体薄膜、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

2026年3月15日(日) 13:45 〜 18:30
SL_101 (南講義棟)
13:45 〜 14:00

[15p-SL_101-1][第59回講演奨励賞受賞記念講演] 立方晶窒化ホウ素スカンジウム(c-BScN)薄膜のエピタキシャル成長

〇前田 亮太1、谷保 芳孝1、熊倉 一英1、二宮 翔2、西堀 麻衣子2、平間 一行1 (1.NTT物性研、2.東北大学)
14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[15p-SL_101-2]NbAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造の作製と電気特性評価

〇奥田 朋也1、黒木 颯太2、若本 祐介3、前田 拓也3、池田 和久1,2、小林 篤1,2 (1.理科大院先進工、2.理科大先進工、3.東大院工)
14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[15p-SL_101-3]スパッタ法によるBAlN薄膜のエピタキシャル成長

〇池田 和久1、渋谷 悠人1、小林 篤1 (1.理科大先進工)
14:30 〜 14:45

[15p-SL_101-4]酸素添加した窒化物強誘電体AlBN薄膜の作製と評価

〇岡本 一輝1,2、Mercer Ian2、舟窪 浩1、Maria Jon-Paul2 (1.東京科学大、2.Penn State)
14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[15p-SL_101-5]ウルツ鉱構造を有する異原子価三元系窒化物MgSiN2薄膜へのScまたはBドーピング

〇(DC)影山 壮太郎1、岡本 一輝1、平永 良臣2、舟窪 浩1 (1.東京科学大、2.東北大)
15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[15p-SL_101-6]MOCVD法によるAlYN薄膜の成長と評価

〇成田 俊1、清水 裕大1、飯田 大輔1、池尻 圭太郎1、池永 和正1 (1.大陽日酸株式会社)
15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[15p-SL_101-7]PLD法を用いたY1-xAlxN薄膜の作製と構造物性評価

〇高木 亮佑1、橋本 收平1、山本 一輝1、岩崎 光志1、中嶋 誠二1、藤谷 海斗1、堀田 育志1 (1.兵庫県立大工)
15:45 〜 16:00

[15p-SL_101-8]スパッタ法によるGaN上NbAlN薄膜のエピタキシャル成長

〇黒木 颯太1、菊池 立貢2、河村 貴宏3、池田 和久1,2、小林 篤1,2 (1.理科大先進工、2.理科大院先進工、3.三重大院工)
16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[15p-SL_101-9]GaN上スパッタエピタキシャル成長NbAlN薄膜のX線分光測定による表面酸化状態評価

〇佐々木 洸1、武田 崇仁1、棟方 晟啓1、小林 正起1、藤森 淳1、奥田 朋也2、黒木 颯太2、小林 篤2、前田 拓也1 (1.東大、2.東京理科大)
16:15 〜 16:30英語発表

[15p-SL_101-10]Single Crystal ScAlN Growth by RF-MBE Method

〇Trang Nakamoto1, Hayato Nishi2, Takashi Fujii3, Tsutomu Araki2 (1.Ritsumeikan Univ. R-GIRO, 2.Ritsumeikan Univ. Col. of Sci. & Eng., 3.Ritsumeikan Univ. ROST)
16:30 〜 16:45

[15p-SL_101-11]Sc0.4Al0.6Nバッファ層を用いたSc50%添加Sc0.5Al0.5N圧電薄膜の成長

〇勝又 彩馨1,2、柳谷 隆彦1,2 (1.早大先進理工、2.材研)
17:00 〜 17:15奨励賞エントリー

[15p-SL_101-12]異なるドーピング密度を有する半導体下地上に成長したAlScNの強誘電体ヒステリシス特性

〇川井 望夢1、白石 健1、三上 杏太1、木本 恒暢1、金子 光顕1 (1.京大工)
17:15 〜 17:30

[15p-SL_101-13]ScAlN/AlN/GaNヘテロ構造の作製と強誘電性の評価

〇佐藤 早和紀1、池田 和久1、前田 拓也2、舟窪 浩3、小林 篤1 (1.理科大院先進工、2.東大院工、3.科学大物院)
17:30 〜 17:45

[15p-SL_101-14]強誘電体メモリ応用に向けたPt/(Al0.9Sc0.1)N/Ptキャパシタの30 nm膜厚スケーリング

〇(D)道古 宗俊1,2、松井 尚子1、入澤 寿和1、恒川 孝二1、Nana Sun2、中村 美子2、岡本 一輝2、舟窪 浩2 (1.キヤノンアネルバ、2.東京科学大)
17:45 〜 18:00

[15p-SL_101-15]スタック膜厚40 nm Pt/(Al0.9Sc0.1)N/Ptキャパシタの300 mm Siウエハ実装に向けた成膜プロセス評価

〇(D)道古 宗俊1,2、松井 尚子1、入澤 寿和1、恒川 孝二1、岡本 一輝2、舟窪 浩2 (1.キヤノンアネルバ、2.東京科学大)
18:00 〜 18:15奨励賞エントリー

[15p-SL_101-16]Si基板上AlScNエピタキシャル薄膜の強誘電特性

〇青木 悠佑1、安岡 功樹1、藤村 紀文1、吉村 武1 (1.阪公大院工)
18:15 〜 18:30奨励賞エントリー

[15p-SL_101-17]エピタキシャル成長したPt/AlScN/TiNヘテロ構造の電気伝導性

〇安岡 功樹1、青木 悠佑1、藤村 紀文1、吉村 武1 (1.阪公大院工)
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