講演情報
[15p-W2_401-7]長波長発光InGaN量子井戸における異常成長島の構造解析
〇松田 祥伸1、船戸 充1 (1.京大院工)
キーワード：
窒化物半導体、有機金属気相成長法
InGaN LEDは高効率フルカラー光源として有望であるが，赤色LEDの発光効率が著しく低い．その一因として，長波長InGaN活性層の成長中に発生する高密度の構造欠陥が挙げられる．我々は，微傾斜(0001)GaN表面を用いることで，赤色InGaN活性層におけるトレンチ欠陥（積層不整起因）および異常成長島の発生を抑制できることを報告したが，異常成長島の詳細な構造は未解明であった．本研究では，異常成長島の構造解析を行い，その発生メカニズムを考察したので報告する．