[15p-W2_401-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶 | 2026年第73回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

[15p-W2_401-1~14]15.4 III-V族窒化物結晶

2026年3月15日(日) 13:00 〜 17:45

W2_401 (西2号館)

13:00 〜 13:30

[15p-W2_401-1][第16回化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）受賞記念講演] 半導体イントラセンターフォトニクス：学理創成から社会実装へ

〇藤原康文¹ (1.立命館大総研)

13:45 〜 14:15

[15p-W2_401-2][第47回優秀論文賞受賞記念講演] トンネル接合と結晶成長によるGaInN系RGBμLEDのモノリシック集積化

〇齋藤竜成¹、長谷川直希¹、井村慧悟¹、末広好伸¹、岩谷素顕¹、竹内哲也¹、上山智¹、飯田大輔²、大川和宏² (1.名城大理工、2.KAUST)

14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[15p-W2_401-3]トンネル接合を用いた積層型GaInN系モノリシックμLEDの電気・光学特性評価

〇(M1)竹谷圭右¹、岩谷素顕¹、竹内哲也¹、上山智¹、末広好伸¹、清水優輝¹、福島瑚子¹ (1.名城大理工)

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[15p-W2_401-4]素子サイズを考慮した電流拡散設計が積層型μLED特性に与える影響

〇福島瑚子¹、清水優輝¹、竹谷圭右¹、末広好伸¹、上山智¹、竹内哲也¹、岩谷素顕¹ (1.名城大)

14:45 〜 15:00

[15p-W2_401-5]マイクロLEDディスプレイに向けたフルカラー領域をカバーする多面体型InGaN LED構造の作製

小野太暉¹、〇松田祥伸¹、船戸充¹ (1.京大院工)

15:00 〜 15:15

[15p-W2_401-6]中性粒子ビームによるGaNマイクロLED作製におけるバイアスパワー依存性

〇王学論¹、大堀大介²、寒川誠二^3,2 (1.産総研、2.東北大流体研、3.陽明交通大)

15:30 〜 15:45

[15p-W2_401-7]長波長発光InGaN量子井戸における異常成長島の構造解析

〇松田祥伸¹、船戸充¹ (1.京大院工)

15:45 〜 16:00

[15p-W2_401-8]InGaN系LEDによる波長分割多重可視光通信に向けたスペクトル設計

〇(B)藤田将成¹、松田祥伸¹、船戸充¹ (1.京大工)

16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[15p-W2_401-9]InGaN/GaN 多重量子井戸におけるプラズモン促進型協調発光による発光高速化現象の解析

〇岡田淳之¹、村井俊介¹、松山哲也¹、和田健司²、内藤裕義^1,3、岡本晃一¹ (1.阪公大院工、2.阪公大研究推進、3.立命館大学)

16:15 〜 16:30

[15p-W2_401-10]InGaN系ナノコラムプラズモニック結晶におけるフォトニック／プラズモニックバンドバンド間強結合条件チューニング

〇大塚拓登¹、白鳥遼磨¹、山田純平^2,4、岡本晃一⁵、富樫理恵^3,4、岸野克巳⁴、大音隆男¹ (1.山形大院理工、2.慶應大理工、3.上智大理工、4.上智大ナノテク、5.阪公大院工)

16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[15p-W2_401-11]InGaN多重量子井戸における再結合速度の量子井戸分離評価とInGaN下地層構造における発光増強機構の検討

〇(M2)新保樹¹、土佐宏樹¹、森恵人¹、山口敦史¹、岩満一功²、冨谷茂隆² (1.金沢工大、2.奈良先端大)

17:00 〜 17:15奨励賞エントリー

[15p-W2_401-12]In組成の異なるInGaN量子井戸におけるフォトルミネセンス寿命の波長および温度依存性

〇山形梨里花¹、畑中颯真¹、山岸颯矢¹、新保樹¹、山口敦史¹、岩満一功²、冨谷茂隆² (1.金沢工大、2.奈良先端大)

17:15 〜 17:30

[15p-W2_401-13]InGaN 単一量子井戸および下地層付き量子井戸におけるカソードルミネッセンススペクトルイメージングによる空間発光特性評価

〇(M1)辻井大地¹、福隆之介¹、赤瀬善太郎¹、岩満一功¹、冨谷茂隆¹ (1.奈良先端大)

17:30 〜 17:45

[15p-W2_401-14]時間分解フォトルミネッセンス寿命分布解析によるInGaN量子井戸再結合ダイナミクスの不均一性評価

〇岩満一功¹、新保樹²、赤瀬善太郎¹、横川俊哉¹、山口敦史²、冨谷茂隆¹ (1.奈良先端大、2.金沢工大)

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