講演情報
[15p-W8E_101-10]分光チャージポンピング法を用いたストレス印加後における界面準位のエネルギー分布変化に関する研究
〇枡川 祐太郎1、堀古 雄太1、三谷 祐一郎1 (1.都市大)
キーワード：
半導体、界面準位、MOS
近年、量子コンピュータや宇宙探査の技術に注目が集まっており、それに伴って Cryo-CMOS に関する研究が活発に行われている。 Si MOSFET についての極低温における詳細な劣化機構は明らかになっておらず、特に量子コンピュータの実用化に向けた課題となっている。そこで、極低温における MOSFET の劣化モデルを構築するため、捕獲断面積の温度依存性及び界面準位のエネルギー分布とトランジスタ信頼性劣化の関係について調査した。