2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.3 絶縁膜技術

[15p-W8E_101-1~13]13.3 絶縁膜技術

2026年3月15日(日) 13:30 〜 17:15
W8E_101 (西8号館)
13:30 〜 14:00

[15p-W8E_101-1][第3回シリコン系半導体エレクトロニクス業績賞（名取研二業績賞）受賞記念講演] 極薄シリコン酸化膜形成技術の研究開発および不揮発性メモリ技術の量産化への貢献

〇南 眞一1、神垣 良昭1、萩原 隆旦1 (1.日立中研)
14:00 〜 14:15

[15p-W8E_101-2]Si（100）面上に低温成長した熱酸化膜の応力緩和モデル

〇神山 栄治1,2、末岡 浩治2 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県立大情報工)
14:15 〜 14:30

[15p-W8E_101-3]2層酸化膜モデルを用いたSi熱酸化膜中Si輸送過程の検討

〇影島 博之1、Seo Insung1、秋山 亨2、白石 賢二3 (1.島根大、2.三重大、3.東北大)
14:30 〜 14:45

[15p-W8E_101-4]200oC以下の水蒸気雰囲気熱処理による低温酸化Si膜の残留OH基量の低減効果

〇堀田 將1、(M1) 小佐々 誠2、(B) 永江 祥也2、(B) 丸橋 恒太2、片宗 優貴2、和泉 亮2 (1.北陸先端大、2.九工大)
14:45 〜 15:00

[15p-W8E_101-5]Siウェット酸化の反応機構：SiO2膜の固溶H2Oの役割

今泉 学士1、岡部 優希1、津田 泰孝2、吉越 章隆2、高桑 雄二3、〇小川 修一1 (1.日大生産工、2.原子力機構、3.東北大)
15:00 〜 15:15

[15p-W8E_101-6]硫酸を用いたSiO₂/Si 構造の作製の検討

〇鬼塚 翔平1、原田 星輝1、上野 智雄1、岩崎 好孝1 (1.農工大院工)
15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[15p-W8E_101-7]変位電流計測を利用したゲート絶縁膜における捕獲電子分布評価

〇小松原 祐樹1、市原 玲華1 (1.キオクシア株式会社 先端技術研究所)
15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[15p-W8E_101-8]4F2 DRAMの実現へ向けた微細(Φ<25nm)縦型IGZOトランジスタのTDDB信頼性改善

〇神山 晃範1、株柳 翔一1、戸田 将也1、岡田 知治1、浜井 貴将1、藤井 章輔1 (1.キオクシア株式会社)
16:00 〜 16:15

[15p-W8E_101-9]MOSキャパシタにおけるSiO2の絶縁破壊機構の整理
ードライ酸化とウェット酸化の違いの起源ー

〇鳥海 明1 (1.自由業)
16:15 〜 16:30

[15p-W8E_101-10]分光チャージポンピング法を用いたストレス印加後における界面準位のエネルギー分布変化に関する研究

〇枡川 祐太郎1、堀古 雄太1、三谷 祐一郎1 (1.都市大)
16:30 〜 16:45

[15p-W8E_101-11]Si/SiO2界面の欠陥の帯電がつくるバンド端状態：理論計算による研究

〇中山 隆史1、飯塚 将太1、浅井 栄大1、千足 勇介1、岡 博史1、稲葉 工1、加藤 公彦1、宮本 聡1、森 貴洋1 (1.産総研)
16:45 〜 17:00

[15p-W8E_101-12]NMF解析による角度選択STEM-EELSマップの成分分離：異種積層膜中のAl2O3極薄膜のバンドギャップ分析への応用

〇浅野 孝典1、手面 学1、田中 洋毅1 (1.キオクシア（株）)
17:00 〜 17:15

[15p-W8E_101-13]第一原理計算によるGaN–SiO2界面のホールトラップ研究

〇趙 元晟1,2,3、白石 賢二1,4、押山 淳1,4 (1.名大IMASS、2.(株)QUEMIX、3.東大院理物理、4.東北大CIES)
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