[15p-W9_324-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:00 〜 14:15

[15p-W9_324-3] ベイズ最適化を用いたGd₂O₃薄膜のMBE結晶成長条件最適化

〇堀 顕心^1,2、稲葉 智宏¹、徐 学俊¹、若林 勇希¹、大塚 琢馬³、俵 毅彦⁴、山本 秀樹¹、尾身 博雄²、眞田 治樹¹ (1.NTT物性科学基礎研究所、2.大和大学、3.NTTコミュニケーション科学基礎研究所、4.日本大学)

キーワード：

分子線エピタキシー、酸化ガドリニウム