セッション詳細
[15p-W9_324-1~14]21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
2026年3月15日(日) 13:30 〜 17:15
W9_324 (西9号館)
[15p-W9_324-1][第47回論文奨励賞受賞記念講演] 190–220 nm帯で発光する岩塩構造MgZnO系UV-Cランプ
〇小川 広太郎1、三富 俊希1、矢島 英樹2、高坂 亘1、日下 皓也1、小林 剛2、山口 智広1、本田 徹1、金子 健太郎3、藤田 静雄3、芹澤 和泉2、尾沼 猛儀1 (1.工学院大、2.オーク製作所、3.京都大)
[15p-W9_324-2]準安定相組成域の岩塩構造MgZnO薄膜成長におけるミスト供給方法が与える影響
〇田中 恭輔1、小川 広太郎1、山口 智広1、本田 徹1、尾沼 猛儀1 (1.工学院大)
[15p-W9_324-3]ベイズ最適化を用いたGd2O3薄膜のMBE結晶成長条件最適化
〇堀 顕心1,2、稲葉 智宏1、徐 学俊1、若林 勇希1、大塚 琢馬3、俵 毅彦4、山本 秀樹1、尾身 博雄2、眞田 治樹1 (1.NTT物性科学基礎研究所、2.大和大学、3.NTTコミュニケーション科学基礎研究所、4.日本大学)
[15p-W9_324-4]ミストCVD法によるカーボン基板上への酸化スズ成膜
〇島 誠一郎1、牛田 真裕1、原田 卓弥2、高田 順司2、高橋 勲3、金子 健太郎3,4 (1.立命館大理工、2.東洋炭素株式会社、3.立命館大総研、4.立命館大半導体応用研究センター)
[15p-W9_324-5]ZnOにおける反応性イオンエッチング誘起欠陥のルミネッセンス評価
〇嶋 紘平1、石橋 章司2、上殿 明良3、秩父 重英1 (1.東北大多元研、2.筑波大CCS、3.筑波大数物系)
[15p-W9_324-6]コンダクタンス法によるr-GeO2 SBD ショットキー界面特性の評価と解析
〇松田 慎平1、清水 悠吏1、大島 孝仁2、河野 愛1、衣斐 豊祐1 (1.Patentix(株)、2.NIMS)
[15p-W9_324-7]c面α-Cr2O3テンプレート上のα-Ga2O3のハライド気相成長
〇大島 祐一1、大島 孝仁1、肖 世玉2、村上 和仁2、今井 克宏2、冨田 崇弘2 (1.NIMS、2.日本ガイシ(株))
[15p-W9_324-8]α-Ga2O3/Al2O3(0001)界面ミスフィット転位の構造および電子状態の理論解析
〇秋山 亨1,2、石田 宏樹1、河村 貴宏1,2 (1.三重大院工、2.三重大ICSDF)
[15p-W9_324-9](010)面β-Ga2O3上におけるTMAHを用いた結晶異方性ウェットエッチング
〇大島 孝仁1 (1.NIMS)
[15p-W9_324-10]β-Ga2O3(010)基板のドメイン境界の位相差顕微鏡観察
〇勝部 大樹1、姚 永昭1,2、山口 博隆1、佐藤 功二1、佐々木 公平3、石川 由加里1 (1.ファインセラミックスセンター、2.三重大、3.ノベルクリスタルテクノロジー)
[15p-W9_324-11]マイクロ波を用いたワイドギャップ半導体層シート抵抗の測定
池田 光1、若松 岳1、磯部 優貴1、田中 勝久1、〇藤田 静雄1、菅谷 英生2 (1.京大、2.パナソニック)
[15p-W9_324-12]窒素中アニール処理したβ-Ga2O3ホモエピ膜の欠陥準位挙動
〇中野 由崇1、勝部 大樹2、小川 貴史2、石川 由加里2、佐々木 公平3、倉又 朗人3 (1.中部大工、2.ファインセラミックスセンター、3.ノベルクリスタルテクノロジー)
[15p-W9_324-13]Photoluminescence Characterization of Color Centers in β-Ga2O3 Emitting in the Telecom O-Band
〇(D)Mathias Marchal1,2, Keidai Toyoshima1, Riena Jinno1, Satoshi Iwamoto1 (1.Univ. of Tokyo, 2.Denmark Technical Univ.)
[15p-W9_324-14]HEATE法によるGa₂O₃/空気DBR共振器構造の作製とDBRの反射特性評価
〇飯島 颯太朗1、髙橋 勇貴1、菊池 昭彦1,2 (1.上智大理工、2.上智大半導体研究所)
