講演情報
[15p-WL2_101-10]特異的な単原子層ステップ構造を持つ電子強誘電体LuFe2O4の原子平坦薄膜の作製
〇福地 厚1、有沢 洋希1,2,3、齊藤 英治1,2,3,4,5、小林 宏之6、岡本 敏1,6 (1.東京大学–住友化学社会連携講座、2.東大工、3.理研CEMS、4.東大Beyond AI、5.東北大AIMR、6.科学大–住友化学協働研究拠点)
キーワード：
電子強誘電体、電荷秩序、エピタキシャル成長
LuFe2O4は結晶内の電荷秩序を基に強誘電性分極を生じる、電子強誘電体の候補物質である。一方でその分極構造を機能応用するには、物質内への精密な電荷注入を可能とする、高い平坦性を持つ薄膜の開発が求められる。本研究ではLuFe2O4に対して原子平坦性を持つ薄膜の作製を試み、YSZ (111)基板上でその成長を実現するとともに、その(0001)表面には特異な単原子層ステップが発生することを見出した。