2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)6 薄膜・表面：6.3 酸化物エレクトロニクス

[15p-WL2_101-1~13]6.3 酸化物エレクトロニクス

2026年3月15日(日) 13:30 〜 17:00
WL2_101 (西講義棟2)
13:30 〜 13:45

[15p-WL2_101-1][第59回講演奨励賞受賞記念講演] 水素分圧に対するVO2相図と界面kineticsの影響

〇浜砂 智1、矢嶋 赳彬1 (1.九大)
13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[15p-WL2_101-2]第一原理経路計算と電気化学インピーダンス分光法によるEuNiO3薄膜中でのプロトン拡散挙動評価

〇(M1)中西 健太1、濱田 幾太郎2、李 好博1,3、田中 秀和1,3 (1.阪大産研、2.阪大院工、3.大阪大学先導的学際研究機構スピン学際研究部門)
14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[15p-WL2_101-3]Van der Waals 物質 hBN 多層膜上に合成したTi2O3薄膜の構造解析

〇菅野 圭太朗1、相馬 拓人1、深町 悟2、吾郷 浩樹2、中尾 裕則3、大友 明1、吉松 公平1 (1.科学大物質理工、2.九州大、3.KEK 物構研)
14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[15p-WL2_101-4]VO2薄膜の金属―絶縁体相転移を用いた低温RFスイッチングデバイス

〇小山 晴隆1,2、大池 広志2、渋谷 圭介3、渡邉 孝信1、小塚 裕介1,2,4 (1.早大理工、2.NIMS、3.産総研、4.東北大 AIMR)
14:30 〜 14:45奨励賞エントリー英語発表

[15p-WL2_101-5]Photo-irradiation and Cs-adsorbed driven formation of two-dimensional metallic stateat β-Ga2O3 (001) surface

〇(M1)Suryo Santoso Putro1, Ye-Jin L. Lee2,3, Vladimir V. Kochurikhin4,5, Taketoshi Tomida4,5,6, Masanori Kitahara4,5,6, Takahiko Hiroiai5,7, Akira Yoshikawa4,5,6,7, Hiroshi Mizuseki8, Noriko Chikumoto9, Nobuhiko Sarukura7,9, Kenichi Ozawa10, Daisuke Shiga1, Hiroshi Kumigashira1, Ryu Yukawa2 (1.IMRAM, Tohoku Univ., 2.SRIS, Tohoku Univ., 3.Faculty des Sciences et Ingenierie, Sorbonne Univ., 4.IMR, Tohoku Univ., 5.C&A Corp., 6.FOX Corp., 7.NICHe, Tohoku Univ., 8.Korea Institute of Science and Technology (KIST), 9.Institute of Laser Engineering, the Univ. of Osaka, 10.IMSS, KEK)
14:45 〜 15:00英語発表

[15p-WL2_101-6]Electronic and electrical states of HfO2/β-Ga2O3 interfaces

〇(D)Abul Tooshil1,2, Takahiro Nagata1, Masaharu Watanabe1,3, Yoshiyuki Yamashita1,2 (1.NIMS, 2.Kyushu University, 3.Meiji University)
15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[15p-WL2_101-7](La1-xSrx)VO3/n-Si接合界面における順方向電流-電圧特性の評価

〇(M1)岩崎 光志1、高木 亮佑1、橋本 收平1、藤谷 海斗1、堀田 育志1 (1.兵庫県立大工)
15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[15p-WL2_101-8]酸化物ヘテロ構造での固有電荷移動を阻止するバリア層の役割

〇(M2)早坂 亮太朗1、増竹 悠紀1、井上 晴太郎1、志賀 大亮1,2、小澤 健一2、組頭 広志1,2 (1.東北大多元研、2.KEK物構研)
15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[15p-WL2_101-9]二酸化ジルコニウムメンブレン結晶における格子緩和

〇(B)進藤 沙也佳1、宮崎 倖多1、槇 麟太郎2、中畑 美紀3、池田 理4、小金澤 智之4、岡本 一輝3、舟窪 浩3、島川 祐一2、菅 大介1 (1.阪大院工、2.京大化研、3.科学大、4.JASRI)
16:00 〜 16:15

[15p-WL2_101-10]特異的な単原子層ステップ構造を持つ電子強誘電体LuFe2O4の原子平坦薄膜の作製

〇福地 厚1、有沢 洋希1,2,3、齊藤 英治1,2,3,4,5、小林 宏之6、岡本 敏1,6 (1.東京大学–住友化学社会連携講座、2.東大工、3.理研CEMS、4.東大Beyond AI、5.東北大AIMR、6.科学大–住友化学協働研究拠点)
16:15 〜 16:30

[15p-WL2_101-11]AFM電流像測定によるTiO2(110)基板上のVO2薄膜の金属相ドメイン生成過程の観察

〇根木 竜宏1、大坂 藍1、中嶋 誠二1、藤沢 浩訓1 (1.兵庫県立大学)
16:30 〜 16:45

[15p-WL2_101-12]VOxセレクタデバイスのオペランド・レーザー励起光電子顕微鏡観察

〇藤原 弘和1,2、バレイユ セドリック3、大川 万里生3、谷内 敏之1,2 (1.東大院新領域、2.東大MIRC、3.東大物性研)
16:45 〜 17:00

[15p-WL2_101-13]ミストCVD法による炭素ドープしたNiOx薄膜のモット転移スイッチングにおける抵抗値の温度依存性

〇吾妻 正道1,2、宮本 翼1、村上 優孝1、西中 浩之1 (1.京都工繊大、2.シンメトリクス)
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