[15p-WL2_101-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[15p-WL2_101-3] Van der Waals 物質 hBN 多層膜上に合成したTi₂O₃薄膜の構造解析

〇菅野 圭太朗¹、相馬 拓人¹、深町 悟²、吾郷 浩樹²、中尾 裕則³、大友 明¹、吉松 公平¹ (1.科学大物質理工、2.九州大、3.KEK 物構研)

キーワード：

遷移金属酸化物、金属絶縁体転移、hBN

六方晶窒化ホウ素（hBN）上に成長したTi₂O₃薄膜はバルクに近い金属絶縁体転移を示す。本研究では放射光X線回折によりその構造を詳細に解析した。φスキャンは、各hBNグレインにおけるTi₂O₃のエピタキシャル成長を示唆し、逆格子マップから得られたa軸長はこれまで報告されたTi₂O₃薄膜で最大であった。これはvan der Waals 物質hBNを用いたことで面内圧縮応力の低減できたことを示唆している。