[16a-M_101-1~12] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

9:45 〜 10:00

[16a-M_101-4] 昇華性分散剤フラビン誘導体を利用したカーボンナノチューブFET

〇加藤 雄一¹、稲葉 工²、飯泉 陽子¹、小橋 和文¹、森本 崇宏¹、岡崎 俊也¹ (1.産総研NCMRI、2.産総研SFRC)

キーワード：

カーボンナノチューブ、FET、昇華

単層カーボンナノチューブには金属性と半導体性があり、分散剤で液中に分散させることは電気特性の異なるカーボンナノチューブを分離するために必要である。しかしFET用途では、チャネル表面のトラップとなる欠陥や分散剤残留を含む不純物が問題となっている。直鎖オクチルを10-N位に有するフラビン誘導体は半導体性カーボンナノチューブを選択的に分散でき、昇華温度が200℃と低い。本発表では、この昇華性分散剤を用い、半導体プロセス後工程互換な除去処理により作成したカーボンナノチューブFETについて報告する。