[16a-M_101-1~12] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

10:45 〜 11:00

[16a-M_101-7] カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの表面吸着物除去による界面準位密度の低減

〇関根 悠人¹、松原 大輔¹、黒宮 英斗¹、内山 晴貴¹、松永 正広²、片浦 弘道³、大野 雄高^1,2 (1.名大工、2.名大未来研、3.産総研)

キーワード：

カーボンナノチューブ、界面準位密度、トランジスタ

カーボンナノチューブ (CNT)は高い移動度や機械的柔軟性を備え，フレキシブルエレクトロニクスへの応用が期待されている．CNT薄膜トランジスタ(TFT)において，界面活性剤やレジスト残渣などの表面吸着物による電気特性の低下が報告されており，表面吸着物の除去が重要である．本研究では，真空加熱処理による吸着物除去を試み，CNT TFTの電気特性および界面特性への効果を評価した．