[16a-M_107-1~10] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

12:00 〜 12:15

[16a-M_107-10] 希薄窒化GaInNAs/GaAs多重量子井戸のGaAsバリア厚に依存した円偏光発光特性

〇多川 英汰¹、森田 彩乃¹、峰久 恵輔²、木瀬 寛都¹、高山 純一¹、石川 史太郎²、村山 明宏¹、樋浦 諭志¹ (1.北大院情報科学、2.北大量子集積)

キーワード：

希薄窒化物半導体、フォトルミネッセンス、円偏光