[16a-M_107-1~10] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

9:45 〜 10:00

[16a-M_107-2] 積層GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起エネルギー選択による過渡応答信号プロファイルの制御

〇小島 磨¹、涌井 潤祐¹、Steer Matthew²、Hogg Richard^2,3 (1.千葉工大工、2.グラスゴー大、3.アストン大)

キーワード：

励起子、GaAs/AlAs多重量子井戸、過渡応答

半導体における励起子過渡応答は、試料構造以外にも励起光エネルギーなどの測定条件によって様々に信号プロファイルが変化する。このような過渡応答の形状の変化を利用することで、論理回路のような動作が可能になると考えられる。そこで、今回我々は、異なる構造の多重量子井戸を積層した試料を用いて、励起光エネルギーを選択してダブルポンプによって過渡応答を測定することで、XOR動作を示すことを目的に研究を行ったので、その結果について報告する。