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11:00 〜 11:15

[16a-M_107-6]異常分散効果を利用したX線回折による多層SiGeナノドットの面内歪み評価

〇(D)末永梨絵子^1,2、伊藤佑太^1,6、渡辺剛³、廣沢一郎^4,7、山本裕司⁵、Wei-Chen Wen⁵、表和彦²、小椋厚志^1,7 (1.明治大理工、2.リガク、3.JASRI、4.SAGA-LS、5.IHP、6.学振DC、7.明治大MREL)

キーワード：

ナノドット、X線回折、異常分散

Siスペーサに埋め込まれた多層SiGeナノドットのin-plane XRDに観測されるサテライトピークの起源を明らかにするため，Ge-K吸収端近傍の異常分散効果を利用したXRD測定を行った．X線エネルギーを変えてSi 551回折を測定した結果，Si回折ピークの低角側に現れるサテライトピークが吸収端近傍で強度低下を示し，このサテライトピークがSiGeナノドット内部の格子歪に由来することが示唆された．この結果より多層SiGeナノドットの歪状態について議論する．

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