講演情報
[16a-M_107-9]GaNAs量子井戸とInGaAs量子ドットのトンネル結合構造におけるスピン偏極度の超高速増幅ダイナミクス；窒素組成の影響
〇鈴木 悠馬1、木瀬 寛都2、森田 彩乃2、高山 純一2、村山 明宏2、樋浦 諭志2 (1.北大工、2.北大院情報科学)
キーワード：
量子ドット、希薄窒化物半導体、フォトルミネッセンス
InGaAs量子ドットと希薄窒化GaNAs量子井戸のトンネル結合構造は、量子ドットの長いスピン寿命とGaNAsのスピンフィルタリング効果を併せ持ち、発光中にスピン偏極率を大きく増幅できる。本研究では窒素組成の異なるトンネル結合試料を作製し、室温におけるスピン偏極増幅ダイナミクスの窒素組成依存性を調べた。時間分解円偏光フォトルミネッセンスにより、窒素組成の増加に伴うスピン偏極増幅の高速化を確認した。