講演情報
[16a-M_B104-4]時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡による窒化処理されたSiO2/SiCの温度制御局所CV特性測定
〇山末 耕平1、長 康雄2 (1.東北大通研、2.東北大NICHe)
キーワード：
半導体、走査型非線形誘電率顕微鏡、SiC
時間分解SNDMを用いた温度制御局所CV特性測定により，NO-POA処理がSiO2/SiC界面欠陥に及ぼす影響を微視的に評価した．熱酸化のみの試料との比較から，NO-POAは広いエネルギー範囲で界面欠陥低減に寄与するが，特に浅い準位への効果が顕著である一方，一部の深い準位は残存することが示唆された．