講演情報
[16a-M_B104-6]走査型非線形誘電率顕微鏡によるSiO2/SiCの光支援局所容量-電圧特性測定に関する実験的検討
〇(M1)井坂 晃大1,2、横田 信英3、山末 耕平2 (1.東北大院工、2.東北大通研、3.静大電研)
キーワード：
走査型非線形誘電率顕微鏡、走査型プローブ顕微鏡、半導体
走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）は，半導体の多数キャリア分布や界面欠陥密度分布をナノスケールで観察できる．試料に光照射可能な光支援SNDMを用いることで，深い界面欠陥準位の高分解能評価を行うことが期待される．本研究では，ワイドギャップ半導体の界面欠陥準位の評価を目的として，SNDMを用いたSiCの光支援局所容量–電圧（CV）特性測定を行った．その結果，深い準位の光励起によるものと考えられる局所CV特性のシフトを確認できた．