講演情報
[16a-M_B104-7]時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡による局所MOS容量電圧特性の掃引時間依存性の検討
〇鈴木 智博1,2、山末 耕平2 (1.東北大院工、2.東北大通研)
キーワード：
走査型非線形誘電率顕微鏡、走査型プローブ顕微鏡、半導体
MOS構造における絶縁膜-半導体間の界面特性の評価手法としてCV特性測定がある．本研究では，時間分解SNDMを用いて，電圧掃引時間を1 µs～10 ms/cycleの範囲で可変とした局所CV特性測定を実現した．SiO2/SiCウェハにおいて局所CV特性のヒステリシスに掃引時間依存性が観察された．このヒステリシスは界面欠陥によるキャリアの捕獲と放出の時定数に起因するとみられる．本報告では，ヒステリシスの大きさを示すシフト量の分布を可視化した．