[16a-PA2-1~6] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16a-PA2-1] 裏面入射型Mg₂Si-pn接合PDアレイのSiインターポーザとの接続

〇山口 広暉¹、武井 日出人¹、飯野 有紀¹、関口 英紘¹、岡本 有貴²、武井 亮平²、高木 秀樹²、坂根 駿也¹、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大工、2.産総研)

キーワード：

マグネシウムシリサイド、赤外センサ、インターポーザ

我々は資源リスクの低いSWIR域の赤外受光材料であるMg₂Siに注目し、これまでにMg₂Siを用いたSWIR域の赤外イメージセンサの実用化に向けての開発を進めてきた。そこで、pn接合フォトダイオード2次元アレイ(PD2DA)構造でのイメージ取得に向け、Siインターポーザを試作し、画素サイズ50µm角8×8画素の裏面入射型Mg₂Si-PD2DAをインターポーザと接続した結果を報告する。