[16a-PA2-1~6] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16a-PA2-3] 不純物拡散で形成したn⁺p接合Mg₂Siダイオードの電気特性評価

〇長谷川 翔吾¹、勝俣 響¹、古田 良輔¹、島野 航輔¹、藤久 善司¹、坂根 駿也¹、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大工)

キーワード：

マグネシウムシリサイド、キャリア寿命、pn接合

短波長赤外光センサへの応用が期待されるMg2Siにおいて、受光感度の向上を目指し研究を行った。Mg2Siは正孔より電子の移動度が高いため、p型基板を用いたn+p構造とすることで拡散長の増大が期待できる。本研究ではp型基板へn型不純物であるAlを熱拡散法によってn⁺p接合ダイオードを形成した。