[16a-PB4-1~18] 3.8 テラヘルツ全般

[16a-PB4-9] テラヘルツ帯ゼロバイアス検波のための三重障壁共鳴トンネルダイオード のJ-V曲率係数解析とチップ化を想定した集積レクテナの電磁界解析

〇須藤 和暉¹、寺野 大希¹、岩井 潤¹、キック アルフレード¹、須原 理彦¹、浅川 澄人²、渡邊 一世³、赤羽 浩一³ (1.都立大システムデザイン、2.都立産技高専、3.情報通信研究機構)

キーワード：

共鳴トンネルダイオード、レクテナ、ゼロバイアス検波

テラヘルツ帯ゼロバイアス検波のためのレクテナ(Rectenna)を化合物半導体ヘテロ接合による三重障壁共鳴トンネルダイオードと自己補対アンテナの集積として設計・試作し300GHz帯での検波動作を観測した。ここではレクテナ検波特性の改善への再設計のため実測電流密度-バイアス電圧特性のVoigt関数を用いた理論的定式化並びにチップ化を想定した集積レクテナの電磁界解析による特性解析結果を報告する。