[16a-PB6-1~5] 3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御

[16a-PB6-4] Ge-on-Si p-i-n 発光ダイオードのEL発光における表面絶縁層堆積の効果

〇永嶋 野乃香¹、今井 広¹、青木 宇宙¹、菊岡 柊也¹、石川 亮佑¹、中川 清和²、澤野 憲太郎¹ (1.東京都市大、2.アビットテクノロジー)

キーワード：

ゲルマニウム、フォトニクス