セッション詳細
[16a-PB6-1~5]3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御
2026年3月16日(月) 9:30 〜 11:00
PB6 (武道場 (B1F))
[16a-PB6-2]新規Ge系バンドエンジニアリングに向けた InGeSb混晶の作製と第一原理計算による評価
〇石津 岳1、母良田 友1、鈴木 風雅1、石川 靖彦1、山根 啓輔1 (1.豊橋技科大)
[16a-PB6-4]Ge-on-Si p-i-n 発光ダイオードのEL発光における表面絶縁層堆積の効果
〇永嶋 野乃香1、今井 広1、青木 宇宙1、菊岡 柊也1、石川 亮佑1、中川 清和2、澤野 憲太郎1 (1.東京都市大、2.アビットテクノロジー)
[16a-PB6-5]光電融合デバイス応用に向けたSiイオン注入シリコンの光吸収特性および結晶構造評価
〇(M1C)山本 康生1、𡧃和佐 圭吾1、Ji Sangmin1、倉持 栄一2、新家 昭彦2、後藤 秀樹1 (1.広島大、2.NTT物性研)
