講演情報
[16a-S2_201-5]並列回路モデルを用いた半導体/強磁性体積層構造における横ゼーベック係数増大機構の解明
〇北浦 怜旺奈1、寺田 吏1、石部 貴史1,2、水口 将輝3、宮崎 秀俊4、中村 芳明1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪大OTRI、3.名大未来研、4.名工大)
キーワード：
熱電材料
異常ネルンスト効果は、温度勾配に垂直な方向に電圧が発生するため、薄膜熱電デバイス構造が簡略化でき、高耐久かつ低コスト化が可能であることから、近年、関心が高まっている。その性能向上の手段として、界面や構造といった体系的な横ゼーベック係数増大手法が注目されているが、その詳細な起源は明らかになっていない。本研究では、Si/Co積層構造を用いて、界面がもたらす横ゼーベック係数増大機構の起源の解明を行う。