[16a-W8E_101-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

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[16a-W8E_101-4] 密度汎関数理論によるGaN中のMg不純物の空孔機構での拡散の解明

〇制野 かおり¹、白石 賢二^2,3、押山 淳^2,3 (1.九工大工、2.東北大CIES、3.名大未来研)

キーワード：

GaN、不純物拡散、密度汎関数理論

高品質なp型GaN形成において重要な微視的プロセスであるGaN中のMgアクセプターの空孔機構での拡散を密度汎関数理論に基づく計算により解明した。Mg不純物が隣接するGa空孔サイトへマイグレーションする際のエネルギー障壁の評価だけでは空孔機構の解明には不十分であるため、本研究では、長距離Mg拡散、すなわちpair migrationとして、Ga空孔サイトのマイグレーションとの統合的な拡散経路およびエネルギー障壁の同定を電荷状態の変化も含めて行った。