セッション詳細

[16a-W8E_101-1~9]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2026年3月16日(月) 9:30 〜 12:00
W8E_101 (西8号館)

[16a-W8E_101-1]放熱性のさらなる向上に向けたGa極性GaN薄層/Diamond接合

〇岩本 晃1、重川 直輝1 (1.大阪公大工)

[16a-W8E_101-2]GaN on sapphire基板へのMgイオンのチャネリング注入

〇須山 篤志1,2、南川 英輝2、青木 正彦2、横田 一広2、須田 淳1 (1.名大院工、2.イオンテクノセンター)

[16a-W8E_101-3]低濃度Mgイオン注入および超高圧アニールを行った p 型GaN層に存在するトラップの評価

〇板倉 ほの香1、堀田 昌宏1,2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

[16a-W8E_101-4]密度汎関数理論によるGaN中のMg不純物の空孔機構での拡散の解明

〇制野 かおり1、白石 賢二2,3、押山 淳2,3 (1.九工大工、2.東北大CIES、3.名大未来研)

[16a-W8E_101-5]Mgイオン注入GaNに対する活性化RTA前の850℃先行熱処理が活性化後に形成されたMOS構造の特性に及ぼす影響

〇唐沢 陽向1、高橋 尚伸1、赤澤 正道1、金木 奨太2、横山 正史2、藤倉 序章2 (1.北大量集センター、2.住友化学)

[16a-W8E_101-6]MgおよびNイオン連続注入と超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBSダイオードの電流-電圧特性に対するTCAD解析

〇北川 和輝1、上杉 勉2、堀田 昌宏1,2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

[16a-W8E_101-7]p-GaN MOS構造に生じる界面近傍ドナー欠陥の起源

〇高橋 尚伸1、嶋崎 喬大1、佐藤 威友1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)

[16a-W8E_101-8]AlSiO/p-GaN MOSキャパシタの容量-電圧特性において温度上昇に伴い顕在化する二段階プラトー

〇清 史幸1、伊藤 健治2、堀田 昌宏1,2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

[16a-W8E_101-9]金属/高濃度p-GaN接合における電流輸送機構の解明: Split-offバンドからの電界放出

〇前田 拓也1、棟方 晟啓1、小林 正起1、中根 了昌1、Karolina Peret2、Mikolaj Chlipala2、Henryk Turski2 (1.東大院工、2.ポーランド科学アカデミー高圧物理学研究所)