[16a-W8E_307-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

11:00 〜 11:15

[16a-W8E_307-8] シリコン結晶基板の品質と点欠陥: ルネサンス(15) 点欠陥に対する内部熱応力効果 (2)

〇井上 直久¹、川又 修一¹、奥田 修一¹ (1.大阪公大 放射線研究センター)

キーワード：

シリコン結晶、点欠陥、応力

シリコン結晶の点欠陥濃度に対する圧力と応力の効果は、ドーパント拡散に対する窒化膜の影響やSiGeの不整合エピ膜などで1980年代に始まり、我々は原子半径の異なるドーパントや、融液成長における熱内部応力の効果に応用した。大結晶の空孔濃度の増加を当時得られた物性値で再計算すると0.1％以上とドーパントと同程度で効果が予想された。2014年に実験的に確認され大直径結晶の育成に欠かせぬものとなった。