セッション詳細
[16a-W8E_307-1~10]15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥
2026年3月16日(月) 9:00 〜 11:45
W8E_307 (西8号館)
[16a-W8E_307-1]Chiplet時代のSi waferのゲッタリング設計
〇栗田 一成1、近藤 博基1 (1.九州大学)
[16a-W8E_307-2]CZ-Si単結晶成長における種子付け界面の転位挙動観察
〇塚田 翔馬1、塚田 大喜1、斉藤 広幸2、松村 尚1,2、干川 岳志1、太子 敏則1 (1.信大工、2.グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社)
[16a-W8E_307-3]<110>方位CZ-Si単結晶育成中のネック部における転位挙動と数値解析
〇塚田 大喜1、塚田 翔馬1、干川 岳志1、斉藤 広幸2、松村 尚1,2、太子 敏則1 (1.信大工、2.グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社)
[16a-W8E_307-4]CUSP-CZ-Si単結晶育成時における融液内温度、酸素濃度分布のるつぼ回転数依存性
〇柿本 浩一1、中野 智2 (1.東北大金研、2.九大 応力研)
[16a-W8E_307-5]VB-Ga2O3単結晶成長時における応力・転位分布の成長軸方位依存性
〇柿本 浩一1、富田 健稔2、Vladimir Kochurikhin2、北原 正典2、鎌田 圭1、村上 力輝斗1、中野 智3、姚 永昭4、赤岩 和明5、吉川 彰1,2 (1.東北大金研、2.㈱C & A、3.九大 応力研、4.三重大、5.鳥取大)
[16a-W8E_307-6]大面積X線ロッキングカーブマッピング技術の開発
〇石地 耕太朗1、石田 成2、國分 伸一郎2、藤井 高志3、熊谷 毅3、福田 承生3、瀬尾 圭介4、原田 俊太4 (1.九州シンクロ、2.SP8サービス、3.福田結晶研、4.名古屋大)
[16a-W8E_307-7]商用オフ角付きSiC基板の残留歪み定量イメージング(2)
〇辻 直人1、渡邉 凌矢1、岩崎 雅弘1、福澤 理行1 (1.京都工芸繊維大)
[16a-W8E_307-8]シリコン結晶基板の品質と点欠陥: ルネサンス(15) 点欠陥に対する内部熱応力効果 (2)
〇井上 直久1、川又 修一1、奥田 修一1 (1.大阪公大 放射線研究センター)
[16a-W8E_307-9]シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学/ルネサンス (28) 窒素の高温挙動
〇井上 直久1、川又 修一1、奥田 修一1 (1.大阪公大 放射線研究センター)
[16a-W8E_307-10]シリコン結晶中の低濃度炭素の測定/ルネサンス (32)フォトルミネッセンスでは炭素濃度は測れない
〇井上 直久1、奥田 修一1、川又 修一1 (1.大阪公大 放射線研究センター)
