講演情報

11:30 〜 11:45

[16a-W8E_308-3]XRD極点図測定によるGaAs基板上SnTeエピタキシャル層の成長方位解析

〇陳英傑¹、沈東楷¹、村上弘武¹、宮澤伶¹、小林正和^1,2 (1.早大先進、2.早大材研)

SnTe、X線回折極点図、トポロジカル結晶絶縁体

SnTeは鏡映対称性に由来するTCIで、単一配向膜が鍵である。先行研究のアモルファス層＋アニール核形成で平坦化した一方、(001)(011)(111)が共存したため、極点図で配向成分と成長条件の関係を解析した。高温長時間で(111)増、短時間で(011)増となり、温度が配向に大きく影響した。